IGBT SKM25GD125D

Описание IGBT модуля SKM25GD125D

SKM25GD125D – это IGBT-модуль (изолированный биполярный транзистор с затвором) производства SEMIKRON, предназначенный для использования в силовой электронике. Модуль имеет двойную структуру (Half-Bridge, 2-in-1), что делает его пригодным для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования и других высоковольтных приложений.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) | | Макс. напряжение | 1200 V (VCES) | | Ном. ток коллектора | 25 A (при 25°C) | | Импульсный ток (IСM) | 50 A | | Мощность потерь | 120 W (при 25°C) | | Напряжение насыщения | 1.8 V (VCE(sat) при 25 A) | | Время переключения | ton ≈ 100 ns, toff ≈ 400 ns | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | SEMiX 2 (изолированный) | | Вес | ~45 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера SEMIKRON:

• SKM25GD125D (основная модель)
• SKM25GB125D (аналог с другими параметрами корпуса)
• SKM25GD125 (устаревшая версия без буквы "D")

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon FF25R12KT3
• Mitsubishi CM25DY-12S
• Fuji Electric 2MBI25N-120
• ON Semiconductor NGTB25N120LWG

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Особенности

• Встроенные свободно-колеблющие диоды (FRD)
• Низкие динамические потери
• Гальваническая изоляция основания

Этот модуль подходит для замены в ремонте или модернизации старых систем, но перед установкой рекомендуется проверить datasheet на совместимость.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!