IGBT SKM40GB123D

Описание IGBT модуля SKM40GB123D

SKM40GB123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и других высоковольтных системах управления. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Корпус SEMiX 2 обеспечивает хорошие тепловые и электрические характеристики, а также удобство монтажа на радиатор.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------------|--------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 80°C) | 40 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В (при I_C = 40 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Тип корпуса | SEMiX 2 (полумост) |

Встроенные диоды

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 40 А
• Падение напряжения (V_F): ≤ 1,8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Semikron:

• SKM40GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM50GB123D (50 А, 1200 В, SEMiX 2)
• SKM40GB12E4 (альтернативная версия)

Совместимые модули других производителей:

• Infineon: FF40R12RT4 (аналог в корпусе EconoPACK 2)
• Mitsubishi: CM40DY-12H (аналог в корпусе NX)
• Fuji Electric: 2MBI40N-120 (аналог в корпусе 2in1)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями
• Сварочное оборудование

Если нужна дополнительная информация (графики, схемы подключения), уточните!