IGBT SKM40GD124DNH8

Описание IGBT модуля SKM40GD124DNH8

SKM40GD124DNH8 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль имеет двойную структуру (Half-Bridge, 2-in-1), что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных систем управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (Ic) | 40 А (при 25°C) | | Ток импульса (Icm) | 80 А | | Мощность (Ptot) | 160 Вт (при 25°C) | | Падение напряжения (Vce) | 1.85 В (при Ic=40A) | | Время включения (ton) | 45 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Корпус | стандартный (изолированный) | | Термическое сопротивление| 0.45 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены (Semikron):

• SKM40GB124D
• SKM40GD123D

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF40R12KT4
• Mitsubishi: CM40DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI40N-120

Особенности и применение

• Высокая перегрузочная способность.
• Низкие потери при коммутации.
• Встроенные диоды обратного хода (антипараллельные).
• Подходит для:
  • Преобразователей частоты
  • Сварочных инверторов
  • Управления электродвигателями
  • ИБП и солнечных инверторов

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах управления и тепловых режимах.

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните детали!