IGBT SKM50GA123D

Описание IGBT модуля SKM50GA123D

SKM50GA123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме half-bridge (полумост).

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие потери проводимости и коммутации
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------------|-------------|
| Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | SEMiX 2 (изолированный) |
| Встроенные диоды | Да (антипараллельные) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Semikron (полумост, 1200 В, ~50 А):

• SKM50GB123D (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM50GA124D (1200 В, 55 А)
• SKM75GB123D (75 А, 1200 В)

Совместимые модули других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные станции

Если нужна дополнительная информация по заменам или datasheet, уточните!