IGBT SKM50GAL100D

Описание IGBT модуля SKM50GAL100D

SKM50GAL100D – это IGBT-модуль от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сварочное оборудование

Модуль выполнен в Dual (двухключевой) топологии (Half-Bridge) и сочетает в себе высокую эффективность, надежность и хорошие тепловые характеристики.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C) при 25°C: 50 А
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: 30 А
• Импульсный ток (I_CM): 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,1 В (при I_C = 50 А)
• Скорость переключения:
  • Время включения (t_on): ~70 нс
  • Время выключения (t_off): ~400 нс
• Встроенный диод (FWD):
  • Напряжение диода (V_FM): ~1,8 В
  • Время восстановления (t_rr): ~250 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,25 °C/Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Механические параметры:

• Корпус: SEMiX 4 (изолированный)
• Монтаж: винтовой
• Вес: ~160 г

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера и аналоги:

• Semikron:
  • SKM50GAL123D (1200 В, 50 А)
  • SKM50GB100D (аналог с другим корпусом)
• Infineon:
  • FF50R12RT4 (1200 В, 50 А)
  • FF50R12KT3 (1200 В, 50 А, NTC)
• Mitsubishi (позже Renesas):
  • CM50DY-12H (1200 В, 50 А)

Совместимые модули (по характеристикам):

• SKM75GAL100D (75 А, 1000 В)
• SKM100GAL100D (100 А, 1000 В)
• SKM50GAL123D (50 А, 1200 В)

Применение и замена

Модуль SKM50GAL100D можно заменять на аналоги с близкими параметрами (1000–1200 В, 50–75 А), но необходимо учитывать:

• Напряжение и ток
• Тип корпуса (SEMiX 4)
• Наличие встроенного диода

Для точного подбора рекомендуется проверять datasheet и консультироваться с производителем.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!