IGBT SKM75GB124D

Описание IGBT SKM75GB124D

SKM75GB124D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой надежностью, эффективным охлаждением и низкими коммутационными потерями, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Систем управления электродвигателями
• Промышленных приводов
• Сварочного оборудования
• Источников бесперебойного питания (ИБП)

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Тип корпуса | SKiiP (изолированный) | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SEMIKRON: SKM75GB12T4, SKM75GB12T4D
• Infineon: FF75R12KT4, FF75R12KE3
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120

Совместимые драйверы:

• SEMIKRON: SKHI22, SKYPER 32 PRO
• Infineon: 1ED020I12-F2
• CONCEPT: 2SC0108T

Особенности и применение

• Изолированный корпус (SKiiP) обеспечивает простой монтаж на радиатор.
• Низкие потери проводимости благодаря технологии Trench Gate.
• Встроенный температурный датчик для защиты от перегрева.
• Высокая перегрузочная способность (до 2×I_C).

Модуль SKM75GB124D подходит для замены устаревших IGBT-модулей в промышленных и коммерческих приложениях, где требуется высокая мощность и надежность.

Если нужны дополнительные параметры (характеристики диодов, графики потерь и т. д.), уточните запрос.