IGBT SKM75GB173D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM75GB173D

Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль
Конфигурация: Двойной (Dual) IGBT с обратным диодом (Half-Bridge)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электроприводами.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В
• Ток коллектора (IC при 25°C): 75 А
• Ток коллектора (IC при 80°C): 50 А
• Импульсный ток (ICP): 150 А
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,8 В (тип.)
• Время включения (ton): 60 нс (тип.)
• Время выключения (toff): 400 нс (тип.)
• Пороговое напряжение затвора (VGE(th)): 6 В

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (VF): 2,2 В (тип.)
• Время восстановления (trr): 250 нс (тип.)

Тепловые параметры:

• Макс. температура перехода (Tj): 150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт

Характеристики управления:

• Рекомендуемое напряжение затвора (VGE): ±20 В
• Заряд затвора (Qg): 1,1 мкКл

Механические характеристики:

• Корпус: SEMiX 3 (изолированный)
• Монтаж: Винтовой
• Масса: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• SEMIKRON:
  • SKM75GB128D (1200 В)
  • SKM100GB173D (1700 В, 100 А)
• Infineon:
  • FF75R17KE3 (1700 В, 75 А)
• Mitsubishi:
  • CM75DY-24H (1700 В, 75 А)

Рекомендуемые драйверы:

• SEMIKRON: SKHI 22A, SKYPER 32
• Infineon: 2ED300C17

Примечание

Модуль SKM75GB173D используется в высоковольтных приложениях, его замена на аналоги должна учитывать напряжение, ток и тепловые параметры.