IGBT SKM800GA126DH14

Описание IGBT модуля SKM800GA126DH14

Производитель: Semikron (или другой производитель, если уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT/Trench технология)
Назначение: Мощные инверторы, частотные преобразователи, системы управления электродвигателями, промышленные источники питания, сварочное оборудование.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Ток коллектора (IC при 25°C): 800 А
• Ток коллектора (IC при 80°C): 500 А (зависит от условий охлаждения)
• Импульсный ток (ICP): до 1600 А
• Рассеиваемая мощность (Ptot): ~2500 Вт (с теплоотводом)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): ~2.1 В (при 800 А)
• Время включения (ton): ~100 нс
• Время выключения (toff): ~300 нс

Параметры диода:

• Напряжение прямого падения (VF): ~1.8 В (при 800 А)
• Время восстановления (trr): ~150 нс

Тепловые параметры:

• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.03 К/Вт
• Максимальная температура перехода (Tj): 150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Механические характеристики:

• Вес: ~300 г
• Крепление: винтовое (M6/M8)
• Изоляция: 2500 В (между базовой пластиной и выводами)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• Semikron: SKM800GA126DH14
• Возможные альтернативные обозначения: SKM800GA126D, SKM800GB126D

Совместимые аналоги (аналогичные по характеристикам):

1. Infineon: FF800R12IE4
2. Mitsubishi: CM800HA-24H
3. Fuji Electric: 2MBI800U4A-120
4. IXYS (Littelfuse): IXGH80N120B3D1

Замены с другими параметрами (проверять распиновку!):

• SKM600GA126D (меньший ток)
• SKM800GB128D (другое напряжение)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно напряжение и ток.
• Для точного подбора аналога используйте datasheet производителя.
• Модуль требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).

Если у вас есть дополнительные данные (например, производитель или конкретное применение), я могу уточнить описание!