IGBT SKW25N120

Описание IGBT транзистора SKW25N120

SKW25N120 – это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Большой ток коллектора (25 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения

Технические характеристики (Datasheet Parameters)

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при 25 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 160 Вт |
| Ток затвора (I_G) | ±20 А (пиковый) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM25GB12T4 (модуль IGBT с диодом)
• SKM50GB12T4 (аналог с большим током)

Эквиваленты от других производителей:

• Infineon: IKW25N120T2, IKW40N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW25N120KD
• IR (Infineon): IRG4PC50UD (1200V, 55A, но в другом корпусе)

Похожие модели:

• 25N120 (без приставки SKW) – могут быть аналоги от других брендов
• HGTG20N120BND (от Renesas)
• IXGH25N120B (от IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная замена, лучше проверить datasheet на соответствие параметров.