IGBT SOT227B

Описание IGBT модуля SOT227B

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль в корпусе SOT227B — это высоковольтный силовой полупроводниковый компонент, предназначенный для управления мощными нагрузками в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Корпус SOT227B обеспечивает хорошее тепловое рассеивание благодаря металлической основе и изолированному монтажу, что делает его пригодным для высокотемпературных применений.

Основные технические характеристики

(Указаны типовые параметры, могут отличаться у конкретных моделей)

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Корпус | SOT227B (изолированный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В – 1700 В (зависит от модели) | | Ток коллектора (I_C) | 25 А – 150 А (пиковый до 300 А) | | Ток затвора (I_G) | ±20 А (макс.) | | Мощность потерь (P_tot) | 200 Вт – 600 Вт (с теплоотводом) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Сопротивление открытого состояния (R_DS(on)) | 0.01 Ом – 0.1 Ом | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 50 нс – 200 нс |

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon Technologies

• FF300R12KE3 (1200V, 300A)
• FF100R12KT4 (1200V, 100A)
• FF50R12RT4 (1200V, 50A)

SEMIKRON

• SKM200GB12T4 (1200V, 200A)
• SKM75GB12T4 (1200V, 75A)

Mitsubishi Electric

• CM200DY-12NF (1200V, 200A)
• CM100DY-12NF (1200V, 100A)

Fuji Electric

• 2MBI200XAA120-50 (1200V, 200A)

Совместимые и аналогичные модули

• STGW30H60DF (STMicroelectronics, 600V, 30A)
• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 40A)
• IXGH32N170A (IXYS, 1700V, 32A)

Некоторые модули могут быть взаимозаменяемыми в зависимости от схемотехники, но рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Если нужны точные характеристики для конкретного применения, укажите модель — помогу детальнее!