IGBT SOT-227B

Описание IGBT модуля в корпусе SOT-227B

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль в корпусе SOT-227B — это компактный силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Корпус SOT-227B (также известный как MiniSKiiP) обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа благодаря винтовым клеммам и изолированному основанию.

Технические характеристики (общие)

• Корпус: SOT-227B (MiniSKiiP)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В, 1700 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): от 25 А до 100 А
• Мощность рассеяния (P_tot): до 300 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Сопротивление открытого состояния (R_DS(on)): от 10 мОм до 50 мОм
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 50–200 нс
• Изоляционное напряжение (V_iso): 2500 В~4000 В

Примеры парт-номеров

Некоторые популярные модели IGBT в корпусе SOT-227B:

1. Infineon
   • IKW75N60T (600V, 75A)
   • IKW40N120T2 (1200V, 40A)
2. Semikron
   • SKM75GB12T4 (1200V, 75A)
   • SKM100GB12T4 (1200V, 100A)
3. Fuji Electric
   • 2MBI100U2B-120 (1200V, 100A)
4. STMicroelectronics
   • STGW40H120DF2 (1200V, 40A)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT модули в корпусе SOT-227B взаимозаменяемы с аналогами других производителей:

• Infineon IKW75N60T ↔ Semikron SKM75GB063D (похожие параметры)
• STGW40H120DF2 ↔ Fuji 2MBI40U2B-120
• IKW40N120T2 ↔ SKM40GB12T4

Если требуется замена, необходимо сверять V_CES, I_C, R_DS(on) и тепловые характеристики.

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если нужны точные параметры для конкретной модели — уточните производителя и парт-номер.