IGBT SP0115T2A0-12

IGBT SP0115T2A0-12
Артикул: 300273

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT SP0115T2A0-12

Описание IGBT SP0115T2A0-12

SP0115T2A0-12 – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежность в жестких условиях эксплуатации.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с антипараллельным диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 15 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 30 А | | Мощность (Ptot) | до 150 Вт (с учетом охлаждения) | | Напряжение затвора (VGE) | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 120 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |


Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

  • Infineon: IKW15N120T2
  • STMicroelectronics: STGW15NC120HD
  • Fuji Electric: 2MBI15U4B-120
  • Mitsubishi: CM15DY-12S

Похожие по характеристикам (альтернативы):

  • IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200 В, 21 А)
  • HGTG15N120BND (ON Semiconductor, 1200 В, 15 А)

Применение

  • Силовые инверторы
  • Сварочные аппараты
  • Управление электродвигателями
  • ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверять разводку выводов и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!

Товары из этой же категории