IGBT TM10T3BH

Описание и технические характеристики IGBT TM10T3BH

TM10T3BH – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 6 А (при 100°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 20 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 5 А) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2.5 °C/Вт | | Корпус | TO-220F (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG10N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)

Парт-номера от других производителей:

• Infineon: IKW10N60T
• Toshiba: GT10Q301
• Mitsubishi: CM10TF3H-12H

Применение:

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные блоки питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Преобразователи частоты

Если вам нужны точные параметры для конкретного применения, рекомендуется уточнить даташит производителя.