IGBT TM25EZ-H

Описание IGBT TM25EZ-H

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) TM25EZ-H – это силовой транзистор, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение V_CES | 600 В | | Макс. ток коллектора I_C | 25 А (при 100°C) | | Ток импульса I_CP | 50 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность P_D | 150 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 1.8 В (тип.) при 25 А | | Время включения t_on | 35 нс | | Время выключения t_off | 120 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Затвор-эмиттерное напряжение V_GE | ±20 В (макс.) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Renesas)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH25N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели (с проверкой распиновки!):

• TM20EZ-H (меньший ток – 20 А)
• TM30EZ-H (больший ток – 30 А)
• GT25J101 (Toshiba, 600 В, 25 А)

Применение

• Инверторы и частотные приводы
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно напряжение V_GE и параметры встроенного диода. Для высокочастотных схем критично время переключения.

Если нужны уточнения по конкретному аналогу или datasheet, укажите – помогу найти!