IGBT TM30PZH

IGBT TM30PZH: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT TM30PZH — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в различных электронных устройствах. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода | | Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт (при 25°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты)| | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные и аналогичные модели:

• TM30PZH (оригинал)
• IRG4PH30UD (International Rectifier)
• FGA30N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP30B60PD (600 В, 30 А)
• NGTB30N60S3WG (ON Semiconductor)
• APT30GR60L (Microsemi)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Драйверы электродвигателей

Примечание:

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнить параметры, так как характеристики могут незначительно отличаться. Также важно учитывать схему управления затвором и тепловой режим работы.

Если у вас есть дополнительные вопросы по аналогам или применению, уточните детали.