IGBT TM55CZ2H

Описание IGBT TM55CZ2H

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) TM55CZ2H – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он сочетает преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости).

Данный модуль часто используется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Промышленных приводах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговых системах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 55 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 110 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 55 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Корпус | Module (например, TO-247 или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW55N120T2, IKW55N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200U2H-120
• Mitsubishi: CM55DY-24H
• SEMIKRON: SKM55GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• IXYS: IXGH55N120B3
• ON Semiconductor: NGTB55N120FL2WG
• STMicroelectronics: STGW55HF120

Примечание

При замене модуля важно учитывать не только технические параметры, но и особенности корпуса, монтажа и системы охлаждения. Рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если требуется точный аналог, лучше обратиться к дистрибьютору (например, Digi-Key, Mouser, RS Components) для проверки кросс-совместимости.