IGBT TM55CZ-M

Описание IGBT TM55CZ-M

IGBT TM55CZ-M — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

• Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 55 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 110 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): до 200 Вт (с радиатором)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при I_C = 55 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Корпус: TO-247 (3-выводной)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые серии (по параметрам):

• Infineon: IKW40N60T, IKW50N60T
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50U-060

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление двигателями (в т.ч. сервоприводами)

Если нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!