IGBT TM55DZ-2H

Описание IGBT TM55DZ-2H

IGBT TM55DZ-2H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью, что делает его пригодным для промышленного использования.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 55 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 110 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 55 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт

Корпус:

• Тип: модульный (в корпусе с изолированным основанием)
• Монтаж: винтовой/на радиатор

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF55R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM55DY-12H
• SEMIKRON: SKM55GB12T4

Совместимые модели в линейке производителя:

• TM50DZ-2H
• TM75DZ-2H
• TM100DZ-2H

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.