IGBT TO-218

Описание IGBT-транзистора в корпусе TO-218

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-218 — это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери мощности). Используется в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и силовой электронике.

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение (пример) |
|-------------------------|------------------|
| Корпус | TO-218 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600–1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 10–50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 100–200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 30–200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,5–1,5 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon:

• IRG4PH40UD (600 В, 40 А)
• IRG4PC50UD (600 В, 55 А)

STMicroelectronics:

• STGW40H60DF (600 В, 40 А)
• STGP10H60DF (600 В, 20 А)

Fairchild/ON Semiconductor:

• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)

Toshiba:

• GT50J101 (1000 В, 50 А)

Совместимые модели и аналоги

1. Корпусные аналоги:

   • TO-247 (более современный аналог с улучшенным теплоотводом).
   • TO-264 (аналог для повышенных мощностей).
   • TO-220 (менее мощный вариант).

2. Функциональные аналоги:

   • IRG4BC20UD (TO-220, 600 В, 20 А).
   • HGTG20N60A4D (TO-247, 600 В, 40 А).

3. Взаимозаменяемость:

   • При замене учитывайте V_CES, I_C, скорость переключения и тепловые параметры.

Применение

• Преобразователи частоты.
• Сварочные аппараты.
• ИБП (источники бесперебойного питания).
• Электромобильные зарядные устройства.

Если нужны параметры конкретной модели — уточните производителя или номер!