IGBT TO220

Описание IGBT TO-220

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-220 — это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах с высоким напряжением и током.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение (типовое) |
|------------------------------|--------------------------|
| Корпус | TO-220 (изолированный или нет) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели) |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 10–75 А |
| Ток импульсный (I_CM) | до 100 А (кратковременно) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.5–2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 40–75 Вт |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–200 нс |

Популярные парт-номера IGBT TO-220

1. Infineon
   • IRG4BC30KD (600V, 23A)
   • IRG4PC50UD (600V, 55A)
2. STMicroelectronics
   • STGP10NC60KD (600V, 20A)
   • STGP7NC60HD (600V, 14A)
3. Fairchild/ON Semiconductor
   • FGA25N120ANTD (1200V, 25A)
   • HGTG20N60A4D (600V, 40A)
4. Toshiba
   • GT20Q101 (1000V, 20A)
5. IXYS
   • IXGH20N120B3 (1200V, 20A)

Совместимые модели и аналоги

Некоторые IGBT в TO-220 взаимозаменяемы с учетом характеристик:

• IRG4BC30KD → STGP10NC60KD (аналог с близкими параметрами)
• FGA25N120ANTD → IXGH20N120B3 (для высоковольтных применений)
• IRG4PC50UD → HGTG20N60A4D (с проверкой по току и мощности)

Примечания

1. Перед заменой проверяйте:
   • Напряжение V_CES и ток I_C
   • Параметры драйвера затвора (V_GE)
   • Тепловые характеристики (возможна замена на TO-247 для больших мощностей).
2. Для изолированных версий (TO-220F) учитывайте наличие изоляционной прокладки.

Если нужна помощь с подбором аналога для конкретной схемы — укажите параметры!