IGBT TO-220F

Описание IGBT TO-220F

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-220F – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие и управление напряжением) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-220F (Full-Pak) отличается изолированной металлической подложкой, что упрощает монтаж на радиатор без изоляционных прокладок.

Технические характеристики (общие для большинства моделей)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C @25°C): 5–40 А
• Ток импульсный (I_CM): до 80 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 40–75 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 20–100 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-220F (изолированный)

Популярные парт-номера IGBT TO-220F

1. Infineon

   • IGP15N60T (600 В, 15 А)
   • IGP20N60T (600 В, 20 А)
   • IGP30N60T (600 В, 30 А)

2. STMicroelectronics

   • STGP10NC60HD (600 В, 10 А)
   • STGP20NC60HD (600 В, 20 А)

3. Fairchild/ON Semiconductor

   • FGP20N60 (600 В, 20 А)

4. Toshiba

   • GT20Q101 (1000 В, 20 А)

5. IXYS

   • IXGH20N60B (600 В, 20 А)

Совместимые модели

Некоторые IGBT в корпусе TO-220F взаимозаменяемы с аналогами в TO-247 (при условии соответствия по току и напряжению). Примеры замен:

• IRG4PC50U (TO-247) → IGP20N60T (TO-220F, с учетом меньшего тока)
• FGA25N120ANTD (TO-3P) → GT20Q101 (TO-220F, для менее мощных схем)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Драйверы двигателей
• Сварочное оборудование

Если нужны параметры конкретной модели, уточните – предоставлю детальные данные.