IGBT TO-220SI1/3

Описание и технические характеристики IGBT в корпусе TO-220

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-220 обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа.

Основные технические характеристики (примерные, уточните модель):

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 650 В, 1200 В (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): 5–20 А (типовое значение)
• Ток импульсный (I_CM): до 30–40 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 40–75 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 20–100 нс
• Температура перехода (T_j): -40…+150 °C

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку точный номер SI1/3 не стандартизирован, возможны следующие варианты:

Популярные аналоги в корпусе TO-220:

1. STMicroelectronics:

   • STGP7NC60HD
   • STGP10NC60KD
   • STGW30NC60WD

2. Infineon:

   • IRG4BC20KD
   • IRG4PC50UD

3. Fairchild/ON Semiconductor:

   • FGA25N120ANTD
   • HGTG20N60A4D

4. Toshiba:

   • GT20J101

5. IXYS (Littelfuse):

   • IXGH20N60BD1

Совместимые модели (зависит от параметров):

• IRG4BC20U (International Rectifier)
• FGA15N120 (Fairchild)
• STGW20NC60V (STMicroelectronics)

Рекомендации:

• Для точного подбора аналога уточните полное название модели (например, SI1/3 может быть частью маркировки производителя).
• Проверьте datasheet, чтобы убедиться в совпадении характеристик.
• Обратите внимание на распиновку и тепловые параметры.

Если у вас есть дополнительные данные по модели, укажите их – помогу подобрать точный аналог!