IGBT TO247-3

Описание IGBT TO247-3

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO247-3 – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых приложениях.

Корпус TO247-3 обеспечивает эффективный отвод тепла благодаря металлической подложке и совместим с большинством стандартных радиаторов.

Технические характеристики

(Обобщённые параметры, зависят от конкретной модели)

| Параметр | Значение (типовое) |
|-------------------------|--------------------|
| Корпус | TO247-3 (3 вывода) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В – 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А – 100 А |
| Максимальная мощность (P_tot) | 100 Вт – 300 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.5 В – 3 В |
| Время включения (t_on) | 20 нс – 100 нс |
| Время выключения (t_off) | 50 нс – 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.2 – 0.5 °C/Вт |

Популярные парт-номера IGBT TO247-3

Производители: Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Toshiba, Mitsubishi, Fuji Electric

Infineon

• IKW40N65ES5 (650 В, 40 А)
• IKW75N60T (600 В, 75 А)
• IKW50N60H3 (600 В, 50 А)

STMicroelectronics

• STGW40H65DFB (650 В, 40 А)
• STGW30NC60WD (600 В, 30 А)

ON Semiconductor

• FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
• NGTB40N120FL3WG (1200 В, 40 А)

Toshiba

• GT40QR21 (1200 В, 40 А)

Совместимые / аналогичные модели

• IRGP4063DPBF (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS, 600 В, 40 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200 В, 25 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные устройства

Если нужны точные параметры конкретной модели, уточните производителя или парт-номер!