IGBT TO247AD

Описание IGBT TO247AD

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO247AD – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO247AD обеспечивает эффективный теплоотвод и надежное крепление на радиатор, что делает его популярным в силовой электронике.

Технические характеристики (общие)

• Корпус: TO247AD (3 контакта, с отверстием для крепления)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В – 1200 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): 20 А – 100 А
• Мощность (P_tot): до 300 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,5 В – 2,5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 30 нс – 150 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C

Популярные парт-номера и аналоги

Infineon Technologies:

• IKW40N120T2 (1200 В, 40 А)
• IKW75N60T (600 В, 75 А)
• IKW30N60H3 (600 В, 30 А)

STMicroelectronics:

• STGW40H120DF2 (1200 В, 40 А)
• STGW30NC60WD (600 В, 30 А)

ON Semiconductor (Fairchild):

• FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
• HGTG20N60A4D (600 В, 20 А)

Mitsubishi Electric:

• CM600HA-24A (1200 В, 600 А, модуль, но имеет аналоги в TO247)

Toshiba:

• GT60N323 (600 В, 60 А)

Совместимые модели и аналоги

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200 В, 40 А)
• IXGH40N60B2D1 (IXYS, 600 В, 40 А)
• APT50GF120J (Microsemi, 1200 В, 50 А)

Применение

• Инверторы и драйверы двигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление мощными нагрузками

Если нужны параметры конкретной модели, уточните – предоставлю детальные данные.