IGBT TO-263-3-2

Описание IGBT TO-263-3-2 (D2PAK)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-263-3-2 (также известном как D2PAK) — это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-263-3-2 обеспечивает эффективный теплоотвод через контакт с радиатором, что делает его популярным в силовой электронике.

Основные технические характеристики

• Корпус: TO-263-3-2 (D2PAK, SMD)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): 10–100 А (в зависимости от модели)
• Ток импульсный (I_CM): до 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Скорость переключения: 20–100 нс
• Рабочая температура: -40°C … +150°C
• Мощность рассеивания (P_tot): 100–200 Вт (с радиатором)

Популярные парт-номера IGBT в корпусе TO-263-3-2

1. Infineon:

   • IRG4BC30KPBF (600 В, 23 А)
   • IRG4PC50UPBF (600 В, 55 А)
   • IRG4PH50UPBF (1200 В, 45 А)

2. STMicroelectronics:

   • STGP10NC60KD (600 В, 10 А)
   • STGP19NC60KD (600 В, 19 А)

3. ON Semiconductor (Fairchild):

   • FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
   • FGH60N60SMD (600 В, 60 А)

4. Vishay:

   • IRG4BC30U (600 В, 23 А)

5. Toshiba:

   • GT50J325 (1200 В, 50 А)

Совместимые модели

IGBT в корпусе TO-263-3-2 часто взаимозаменяемы с аналогами в TO-247 (при условии подходящих параметров). Примеры замен:

• IRG4BC30KPBF (TO-263) ↔ IRG4BC30W (TO-247AC)
• STGP10NC60KD (TO-263) ↔ STGW10NC60WD (TO-247)

Применение

• Инверторы, ШИМ-контроллеры
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Драйверы двигателей
• Сварочные аппараты

Если нужны параметры конкретной модели — уточните, и я помогу!