IGBT TO3P

Описание IGBT транзистора в корпусе TO3P

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO3P – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO3P обеспечивает эффективный теплоотвод и механическую прочность, что делает эти транзисторы популярными в силовой электронике.

Основные сферы применения:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Технические характеристики (усредненные, зависят от конкретной модели)

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Корпус | TO3P (TO-247, TO-3P) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В, 1200 В, 1700 В (в зависимости от модели) | | Ток коллектора (I_C) | 20 А – 100 А | | Ток импульсный (I_CM) | До 200 А (кратковременно) | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт – 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.1 Ом – 0.5 Ом | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс – 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Популярные парт-номера и совместимые модели

Infineon Technologies:

• IKW40N120H3 (1200V, 40A)
• IKW75N65EH5 (650V, 75A)
• IKW30N60T (600V, 30A)

STMicroelectronics:

• STGW40H120DF2 (1200V, 40A)
• STGP20H60DF (600V, 20A)

Fuji Electric:

• 2MBI200U2A-120 (1200V, 200A, модуль)
• 2MBI100VA-060 (600V, 100A)

Mitsubishi Electric:

• CM300DY-24A (1200V, 300A, модуль)

ON Semiconductor (Fairchild):

• FGH40N60SMD (600V, 40A)

Toshiba:

• GT60J323 (600V, 60A)

Совместимые корпуса и аналоги

• TO-247 (полный аналог TO3P)
• TO-264 (близкий по габаритам)
• TO-3PN (альтернатива от некоторых производителей)

Для замены важно учитывать напряжение, ток, скорость переключения и тепловые характеристики.

Если вам нужны параметры конкретной модели – уточните, и я предоставлю детальные данные.