IGBT TO-3P

Описание IGBT TO-3P

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-3P – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Корпус TO-3P (также известный как TO-247) обеспечивает эффективный теплоотвод и высокую надежность в силовых приложениях.

Основные технические характеристики:

✅ Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600В, 650В, 1200В и выше
✅ Ток коллектора (I_C): от 20А до 100А (в зависимости от модели)
✅ Рассеиваемая мощность (P_D): до 200Вт
✅ Напряжение затвора (V_GE): ±20В (стандартно ±15В для работы)
✅ Время включения/выключения (t_on/t_off): от 40нс до 200нс
✅ Температура хранения/эксплуатации: -55°C до +150°C
✅ Корпус: TO-3P (TO-247), изолированный и неизолированный варианты

Популярные парт-номера:

1. Infineon:

   • IKW40N65H5 (650В, 40А)
   • IKW75N65EH5 (650В, 75А)
   • IKW30N120H3 (1200В, 30А)

2. Fuji Electric:

   • 2MBI100VA-060 (600В, 100А)
   • 2MBI75VA-120 (1200В, 75А)

3. STMicroelectronics:

   • STGW40H65DFB (650В, 40А)
   • STGW30H120DF3 (1200В, 30А)

4. ON Semiconductor:

   • NGTB40N120FL3WG (1200В, 40А)
   • FGH40N60SMD (600В, 40А)

5. Toshiba:

   • GT50JR22 (600В, 50А)
   • GT30J122 (1200В, 30А)

Совместимые и аналогичные модели:

🔹 IRG4PH50UD (International Rectifier, 600В, 43А) → аналог IKW40N65H5
🔹 HGTG20N60B3 (Fairchild, 600В, 40А) → аналог STGW40H65DFB
🔹 FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200В, 25А) → аналог STGW30H120DF3

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и сервосистемы

Если нужны параметры конкретной модели, уточните – помогу подобрать замену! 🚀