IGBT TO-3PL

Описание IGBT в корпусе TO-3PL

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-3PL – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий высокую скорость переключения MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора. Корпус TO-3PL обеспечивает хорошие тепловые характеристики и механическую прочность, что делает его популярным в силовой электронике.

Технические характеристики (общие для многих моделей)

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В, 1700 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): 10–100 А (пиковый ток выше)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 100–300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (стандартное)
• Время включения (t_on): 30–100 нс
• Время выключения (t_off): 100–300 нс
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,3–1,0 °C/Вт
• Температура перехода (T_j): -40…+150 °C

Популярные парт-номера IGBT TO-3PL

1. Infineon:

   • IKW серии (например, IKW40N65H5, IKW75N65H5)
   • IKW серии с TrenchStop™ технологией (например, IKW50N60T)

2. STMicroelectronics:

   • STGW серии (например, STGW40H65DFB)
   • STGP серии (например, STGP10NC60KD)

3. Fuji Electric:

   • 2MBI серии (например, 2MBI100U4B-060)

4. Mitsubishi Electric:

   • CM серии (например, CM75E3U-24H)

Совместимые модели и аналоги

• Infineon IKW40N65H5 → STGW40H65DFB (STMicroelectronics), FGA40N65SMD (Fairchild)
• STGW30NC60WD → IRG4PC50UD (International Rectifier), HGTG30N60B3 (Fairchild)
• IKW75N65H5 → CM75E3U-24H (Mitsubishi), FGH75N60SMD (Fairchild)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если нужны данные по конкретной модели, уточните – помогу с деталями!