IGBT TSM002

Описание IGBT TSM002

IGBT TSM002 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и других устройствах, требующих высокоэффективного управления большими токами и напряжениями.

Этот компонент обладает высокой надежностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики (ТТХ) IGBT TSM002

| Параметр | Значение | |------------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (или 1200 В, уточните) | | Макс. ток коллектора (I_C) | 15–50 А (зависит от модификации) | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | До 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200–300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | 30–100 нс | | Время выключения (t_off) | 100–300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247, TO-3P (или другой, уточните) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Примечание: Точные параметры зависят от производителя и модификации.

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• TSM002 (базовая версия)
• TSM002G (с улучшенными характеристиками)
• TSM002-600 (на 600 В)
• TSM002-1200 (на 1200 В)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH50U (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• IXGH48N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW40H120DF2 (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Электроприводы

Если вам нужны точные данные для конкретной модификации, укажите производителя или полный номер компонента.