IGBT TT25N12LOF

Описание IGBT TT25N12LOF

TT25N12LOF — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других высоковольтных/высокотоковых устройствах. Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) — до 1200 В.
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) — обеспечивает высокий КПД.
• Быстрое переключение — подходит для частотных преобразователей.
• Защитный диод в корпусе — улучшает надежность в индуктивных нагрузках.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А (макс.) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) при 15 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 160 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
| Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IHW25N120R3, IKW25N120T2
• STMicroelectronics: STGW25N120KD, STGW30N120KD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD
• IR (Infineon): IRG4PC50UD

Прямые замены (схожие параметры):

• TT25N12LOF (оригинал от производителя, возможно, Toshiba или Tianjin Tech)
• HGTG25N120BND (Microsemi)
• NGTB25N120LWG (ON Semiconductor)

Важно:

Перед заменой проверяйте распиновку корпуса (TO-247), параметры V_CES/I_C и наличие встроенного диода.

Применение

• Инверторы и частотные приводы.
• Сварочные аппараты.
• ИБП (источники бесперебойного питания).
• Индукционные нагреватели.

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или datasheet, укажите производителя оригинального компонента.