IGBT TT61N12K0F-K

Описание IGBT TT61N12K0F-K

TT61N12K0F-K – это N-канальный IGBT-транзистор с кремниевой структурой, разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Этот компонент обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и стабильной работой в жестких условиях эксплуатации.

Основные сферы применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные силовые системы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 61 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 120 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 61 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +175°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• TT61N12K0F (базовая версия без суффикса -K)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 55A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A) – при пониженном напряжении
• IXGH60N120B3 (IXYS, 1200V, 60A)

Похожие модели (альтернативы с близкими параметрами):

• HGTG30N120BND (Infineon, 1200V, 30A) – для меньших токов
• NGTB50N120FL2WG (ON Semiconductor, 1200V, 50A)

Примечания:

• IGBT TT61N12K0F-K часто используется в паре с быстрым диодом для защиты от обратных токов.
• При замене на аналог важно учитывать не только напряжение и ток, но и параметры переключения (t_on/t_off).
• Для точного подбора замены рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры), уточните – предоставлю детали.