IGBT TT92N08K0F

Описание IGBT TT92N08K0F

TT92N08K0F – это N-канальный IGBT-транзистор с ультранизким падением напряжения в открытом состоянии (Ultra Low VCE(sat)), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (800 В)
• Большой ток коллектора (92 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения VCE(sat) = 1.55 В (при IC = 46 A)
• Быстрое переключение благодаря технологии Trench Gate Field Stop
• Встроенный антипараллельный диод
• Корпус TO-247 (отличный теплоотвод)
• Рабочая температура: -55°C до +150°C

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 92 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 46 А | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 1.55 В (при I_C = 46 A) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 333 Вт | | Время включения (t_on) | 32 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Корпус | TO-247 | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 1.2 мкКл | | Температура хранения | -55°C ... +150°C |

Альтернативные и совместимые модели

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• Infineon
  • IKQ75N08CT2
  • IKW75N65ET7
• STMicroelectronics
  • STGW80H65DFB
  • STGW80H60DFB
• Fuji Electric
  • 2MBI100U4A-060

Близкие по характеристикам (возможна замена с перерасчетом параметров):

• IR (Infineon)
  • IRG4PH50UD
  • IRGP50B60PD1
• ON Semiconductor
  • FGH40N60SMD
  • NGTB40N120FL3WG

Парт-номера от других производителей:

• Toshiba – GT30J321
• Mitsubishi – CM600DU-24NFH

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями

Если нужна точная замена, лучше проверить разводку платы и рабочие режимы, так как параметры V_CE и I_C могут отличаться у аналогов.