IGBT UM200CDY10

Описание IGBT UM200CDY10

UM200CDY10 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как промышленные инверторы, сварочное оборудование, тяговые системы и преобразователи частоты. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и изолированный корпус для удобства монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 100°C)
• Импульсный ток (I_CM): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 70 нс / 300 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,15 °C/Вт
• Диапазон температур: -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (обычно TO-247 или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-060
• Semikron: SKM200GB12T4

Cross-reference (совместимые замены):

• UM200CDY10-1 (модификация с улучшенными параметрами)
• UM200CDY12 (версия на 1200 В)
• UM150CDY10 (150 А, 1000 В)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная информация по заменам или datasheet, уточните производителя (например, Unisonic или другой бренд).