IGBT UM75CDY-10

Описание IGBT UM75CDY-10

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) UM75CDY-10 – это мощный полупроводниковый прибор, разработанный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленных и энергетических применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип | IGBT модуль | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~250 нс (тип.) | | Макс. температура перехода (T_j) | 150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (с базовой пластиной) | | Вес | ~150 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги и замены

• UM75CDY-10 (оригинальный номер)
• CM75DY-10 (возможный аналог от другого производителя)
• SKM75GB12T4 (Semikron, с учетом различий в параметрах)
• FF75R12KE3 (Infineon, проверять распиновку)

Совместимые модели

Модули с аналогичными параметрами (1000 В, 75–100 А):

• PM75CLA120 (Mitsubishi)
• FP75R12KT4 (Infineon)
• MG75Q1US41 (Toshiba)

Примечания

1. Перед заменой необходимо проверить распиновку, механические размеры и параметры (особенно V_CES и I_C).
2. Для точного подбора аналога рекомендуется использовать даташиты производителей (например, Fuji Electric, Semikron, Infineon).
3. Учитывайте условия охлаждения – некоторые аналоги могут иметь отличные тепловые характеристики.

Если нужна дополнительная информация по конкретному производителю или схеме применения – уточните запрос!