IGBT V503GS

IGBT V503GS – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), используемый в силовой электронике для высокоэффективного управления мощностью.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 500 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C / 100°C): ~50 А / ~30 А
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 25 А)
• Мощность рассеивания (P_D): ~200 Вт
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Входная емкость (C_ies): ~3,5 нФ
• Корпус: TO-247 (возможны варианты)

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от Infineon:
  • IKW50N60T (600V, 50A)
  • IKW50N60H3 (600V, 50A, более низкие потери)
• Аналоги от STMicroelectronics:
  • STGW50H60DF (600V, 50A, диод встроенный)
  • STGP50H60DF (600V, 50A, TO-247)
• Аналоги от Fairchild/ON Semiconductor:
  • FGA50N60SMD (600V, 50A, Super Junction)
• Другие возможные замены:
  • IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
  • HGTG20N60A4D (Renesas, 600V, 40A, быстродействующий)

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если у вас есть дополнительные параметры (например, производитель или точный корпус), можно уточнить аналоги. Также стоит проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут отличаться.