Sick VTF1802N41117

Описание VTF1802N41117

VTF1802N41117 — это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для эффективного управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), высокой скоростью переключения и надежностью в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 1800 В |
| Макс. ток стока (ID) | 11 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 1.5 Ом (при VGS = 10 В) |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Альтернативные парт-номера

Прямые аналоги или близкие замены:

• IXFH11N180 (IXYS)
• STW18NK90Z (STMicroelectronics)
• IRFPG50 (International Rectifier)
• APT1802 (Microsemi)

Совместимые модели и применения

Где используется:

• Высоковольтные импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Совместимые устройства:

• Замена в ремонте плат Samsung, LG (в некоторых высоковольтных модулях)
• Аналоги в схемах Tesla (вторичные рынки компонентов)

Примечание:

Перед заменой проверяйте распиновку и рабочие характеристики в даташите, так как у аналогов могут быть отличия в VGS(th) и динамических параметрах.

Нужен даташит или уточнение по конкретному применению? Уточните детали!