Sick VTF184N1740

тел. +7(499)347-04-82
Описание Sick VTF184N1740
Описание VTF184N1740
VTF184N1740 — это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для эффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что минимизирует потери энергии.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 1740 В |
| Макс. ток стока (ID) | 18 А (при 25°C) |
| Сопротивление (RDS(on)) | 0.4 Ом (при VGS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Мощность рассеивания (PD) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температура хранения/работы | от -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги/замены:
- IRFP460 (менее мощный аналог, 500 В, 20 А)
- STP18NK50Z (500 В, 18 А, TO-220)
- IXFH18N170 (1700 В, 18 А)
- APT184GN120J (1200 В, 25 А)
Родственные модели от производителя SICK:
- VTF104N1740 (1740 В, 10 А)
- VTF244N1740 (1740 В, 24 А)
Примечания
- Проверяйте datasheet перед заменой — ключевые параметры (напряжение, ток, корпус) должны совпадать.
- Для высоковольтных применений (например, инверторы) учитывайте требования к изоляции и охлаждению.
- Рекомендуется использовать с драйверами затвора для уменьшения переходных процессов.
Если нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или применение в схемах), уточните запрос!