IXYS 60N60C2D1

IXYS 60N60C2D1: Описание и технические характеристики

Описание:
IXYS 60N60C2D1 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение V_DSS | 600 В | | Макс. ток I_D (при 25°C) | 60 А (непрерывный), 180 А (импульсный) | | Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 10 В) | 0.06 Ом (макс.) | | Мощность рассеивания P_D (при 25°C) | 300 Вт | | Напряжение затвора V_GS | ±20 В | | Заряд затвора Q_g (тип.) | 110 нКл | | Время включения t_d(on) | 12 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 55 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Применение | ИИП, инверторы, мотор-драйверы |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS 60N60, 60N60C2
• Infineon IPP60R060C7
• STMicroelectronics STW60N60DM2
• Fairchild (ON Semi) FCH60N60
• IR (Infineon) IRFP460

Похожие альтернативы (с близкими параметрами):

• IXYS 40N60C3 (600 В, 40 А)
• IXYS 80N60 (600 В, 80 А)
• STMicroelectronics STP60N60M6
• Infineon IPA60R060P7

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно в R_DS(on), заряде затвора и корпусе. Для точной совместимости рекомендуется проверять даташиты и условия работы в схеме.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению — уточните условия эксплуатации.