IXYS IXBF32N300

IXYS IXBF32N300 - Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXBF32N300 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, разработанный для применений в высоковольтных и высокочастотных схемах. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, промышленного оборудования и силовой электроники.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, что позволяет использовать транзистор в системах с высокой рассеиваемой мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В | | Макс. ток стока (I_D) | 32 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | 128 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.09 Ом (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Емкость затвора (C_iss) | 2200 пФ | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые MOSFET:

• IXYS IXBF32N250 (250 В, 32 А)
• IXYS IXBF32N400 (400 В, 32 А)
• Infineon IPP60R099CP (600 В, 19 А, но схожие характеристики)
• STMicroelectronics STW32N60DM2 (600 В, 32 А)
• IRFP32N30LPBF (International Rectifier, 300 В, 32 А)

Парт-номера в других корпусах:

• IXBF32N300K (TO-3P корпус)
• IXBF32N300T (TO-220 корпус)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Промышленные силовые системы

Если вам нужны аналоги с другими параметрами (например, более высокое напряжение или ток), укажите требования, и я помогу подобрать замену.