IXYS IXBX75N170

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXBX75N170
Описание и технические характеристики IXYS IXBX75N170
IXBX75N170 – это мощный N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1700 В и током коллектора 75 А. Применяется в высоковольтных преобразователях, инверторах, промышленных приводах и силовых системах управления.
Основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В |
| Макс. ток коллектора (IC) (при 25°C) | 75 А |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 150 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 3.0 В (при IC = 75 A) |
| Время включения (ton) | 55 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Температура перехода (Tj) | от -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (аналогичен TO-3P) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
Аналоги и парт-номера
Прямые аналоги (схожие параметры):
- IXYS IXBX75N170A (модифицированная версия)
- Infineon IKW75N170H3
- Fuji Electric 2MBI75N-170
- Mitsubishi CM75DY-24H
Совместимые модели (сопоставимые по характеристикам):
- IXYS IXBX50N170 (50 А, 1700 В)
- IXYS IXBX100N170 (100 А, 1700 В)
- STMicroelectronics STGW75H170DF2
- SEMIKRON SKM75GB170D
Применение
- Промышленные инверторы
- Электроприводы и ЧПУ
- Сварочное оборудование
- Высоковольтные источники питания
- Системы управления мощностью
Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы включения), уточните!