IXYS IXFE180N10

IXYS IXFE180N10 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, импульсных источников питания, управления двигателями и других приложений с высокой нагрузкой.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
• Максимальный ток стока (I_D): 180 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 1.8 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 2.2 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 480 Вт (при 25°C)
• Тип корпуса: TO-264 (аналог TO-247)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Ключевые преимущества:

• Низкое R_DS(on) для минимизации потерь мощности.
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных схем.
• Высокая устойчивость к перегрузкам.
• Оптимизирован для мощных DC-DC преобразователей и инверторов.

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• Infineon IPP180N10N3 G (100 В, 180 А, R_DS(on) = 1.8 мОм)
• Vishay SUPFET85N10-09 (100 В, 85 А, R_DS(on) = 9 мОм) – менее мощный аналог
• STMicroelectronics STP160N10F7 (100 В, 160 А, R_DS(on) = 2.4 мОм)

Совместимые модели (для замены в некоторых схемах):

• IXYS IXFN180N10 (аналогичные параметры, другой корпус)
• IRFP4368PbF (100 В, 130 А, R_DS(on) = 4.5 мОм) – альтернатива при меньших токах
• IRFB4110PbF (100 В, 180 А, R_DS(on) = 4.0 мОм)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и H-мостовые схемы
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы
• Сварочное оборудование

Если нужны дополнительные параметры (C_iss, Q_g и др.), уточните – предоставлю детализированные данные.