IXYS IXFH12N100

Описание

IXYS IXFH12N100 – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 1000 В и током стока 12 А. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, высоковольтных преобразователях и других мощных электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 12 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.85 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 18 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 105 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55 °C ... +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от IXYS (Infineon):

• IXFH12N100Q
• IXFH10N100
• IXFH15N100

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon:
  • IRFP460 (900 В, 20 А)
  • IRFP450 (500 В, 14 А) – с пониженным напряжением
• STMicroelectronics:
  • STW12N100 (1000 В, 12 А)
  • STP12NM50FD (500 В, 12 А) – с пониженным напряжением
• ON Semiconductor:
  • FQP12N100 (1000 В, 12 А)
  • FQPF12N60 (600 В, 12 А) – с пониженным напряжением

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Высоковольтные системы управления
• Промышленные и силовые электронные устройства

Если требуется модель с улучшенными характеристиками, можно рассмотреть IXFH15N100 (15 А) или аналоги с более низким R_DS(on).