IXYS IXFH12N90Q

Описание и технические характеристики IXYS IXFH12N90Q

IXFH12N90Q – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением сток-исток (900 В), низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения. Предназначен для импульсных источников питания (SMPS), инверторов, резонансных преобразователей и других силовых приложений.

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 900 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS=10 В | 0,85 Ом |
| Потребляемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 500 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: IPP60R099CP
• STMicroelectronics: STW12N90K5
• ON Semiconductor: FGH12N90SFD
• Fairchild/ON Semi: FCP11N90

Парт-номера от IXYS (альтернативы в других корпусах):

• IXFH12N90Q2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXFH10N90Q (10 А, 900 В)
• IXFH15N90Q (15 А, 900 В)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы для солнечных панелей
• DC-DC преобразователи
• Электроприводы и управление двигателями

Если вам нужны более точные аналоги, уточните параметры (например, ток, корпус или R_DS(on)).