IXYS IXFH13N80

Описание

IXYS IXFH13N80 – это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (800 В)
• Большой ток стока (13 А)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 0.65 Ом)
• Быстрое переключение, подходит для импульсных источников питания, инверторов и DC-DC преобразователей.
• Корпус TO-247, обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.65 Ом (при V_GS=10V) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 18 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений в схеме):

• IXFH13N80P (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXFH13N80Q (более низкое R_DS(on))
• IXFH13N80D (другая партия)

Совместимые модели (похожие параметры, возможна замена с проверкой):

• IRFP460 (500 В, 14 А, R_DS(on) 0.27 Ом) – требует проверки по напряжению
• STP13N80K5 (800 В, 13 А, R_DS(on) 0.45 Ом)
• FQP13N80 (800 В, 13 А, R_DS(on) 0.65 Ом)
• IXFH12N80 (800 В, 12 А, R_DS(on) 0.75 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные системы управления

Если требуется модель с более низким R_DS(on), можно рассмотреть IXFH15N80 (15 А, 0.5 Ом).