IXYS IXFH16N50P

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFH16N50P
Описание
IXYS IXFH16N50P – это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.
Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, а внутренний защитный диод способствует повышению надежности в индуктивных нагрузках.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 500 В | | Макс. ток стока (ID) | 16 А (при 25°C) | | Импульсный ток (IDM) | 48 А | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.38 Ом (при VGS = 10 В) | | Потребляемая мощность (PD) | 200 Вт (при 25°C) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В | | Емкость затвора (Ciss) | 1800 пФ | | Время включения (td(on)) | 18 нс | | Время выключения (td(off)) | 80 нс | | Корпус | TO-247 | | Диод обратного восстановления | Встроенный (Body Diode) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые аналоги
Парт-номера от IXYS (Infineon):
- IXFH16N50P (базовая модель)
- IXFH16N50P3 (модификация с улучшенными характеристиками)
Совместимые аналоги от других производителей:
- IRFP460 (International Rectifier) – 500 В, 20 А
- STP16NK50ZFP (STMicroelectronics) – 500 В, 16 А
- FDP16N50NZ (ON Semiconductor) – 500 В, 16 А
- HUF75639G3 (Renesas) – 500 В, 18 А
- APT50M75B2 (Microsemi) – 500 В, 50 А (более мощный аналог)
Примечание: При замене на аналог рекомендуется проверять разводку выводов и динамические характеристики в спецификации.
Применение
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Инверторы и приводы двигателей
- DC-DC преобразователи
- Усилители класса D
- Индукционные нагреватели
Транзистор IXFH16N50P обеспечивает высокую эффективность и надежность в высоковольтных схемах, благодаря чему остается популярным выбором среди разработчиков силовой электроники.