IXYS IXFH22N50P

Описание

IXYS IXFH22N50P – это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 500 В и током стока 22 А. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других схемах, требующих высокого напряжения и эффективного управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 0.25 Ом при VGS = 10 В)
• Быстрое переключение благодаря низким зарядом затвора (Qg = 68 нКл)
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода
• Защита от статического электричества (ESD)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 500 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 22 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 88 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.25 Ом (VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Заряд затвора (Qg) | 68 нКл |
| Температура перехода (Tj) | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативы и аналоги)

• IXYS IXFH22N50P (оригинал)
• IRFP450 (International Rectifier, 500 В, 14 А, TO-247)
• STW20NM50 (STMicroelectronics, 500 В, 20 А, TO-247)
• FQA19N60 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 19 А, TO-3P)
• IXFH20N60P (IXYS, 600 В, 20 А, TO-247)
• APT50M75JVR (Microsemi, 500 В, 50 А, TO-247)

Совместимые модели в схемах

• В источниках питания: IXFH16N50P, IRFP460, STP20NM50
• В мостовых схемах и инверторах: FDPF18N50, HUF75639P3

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Системы управления мощностью (PWM)

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть IXFH32N50P (32 А, 500 В) или IXFH40N60P (40 А, 600 В).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!