IXYS IXFH30N50P

Описание MOSFET транзистора IXYS IXFH30N50P

IXFH30N50P — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 500 В и током стока 30 А. Применяется в высоковольтных импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокое напряжение 500 В
• Ток стока 30 А (при 25°C)
• Низкое сопротивление открытого канала RDS(on) = 0.18 Ом (при VGS = 10 В)
• Быстрое переключение благодаря низкой входной емкости
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода
• Защитный диод сток-исток

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия | |---------------------------|----------|---------| | Напряжение сток-исток (VDS) | 500 В | - | | Ток стока (ID) | 30 А | При 25°C | | Ток импульсный (IDM) | 120 А | - | | Сопротивление RDS(on) | 0.18 Ом | VGS = 10 В, ID = 15 А | | Пороговое напряжение VGS(th) | 4 В | - | | Входная емкость (Ciss) | 2200 пФ | VDS = 25 В, VGS = 0 В | | Время включения (ton) | 30 нс | - | | Время выключения (toff) | 120 нс | - | | Макс. температура корпуса | 175°C | - | | Корпус | TO-247 | - |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXFH30N50P3 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXFH30N50 (аналог с близкими характеристиками)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPA60R199CP (500 В, 24 А, RDS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW30N50 (500 В, 30 А, RDS(on) = 0.2 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQA30N50 (500 В, 30 А, RDS(on) = 0.22 Ом)
• IRFP450 (500 В, 14 А, RDS(on) = 0.4 Ом, менее мощный)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Управление двигателями (H-мосты)
• Высоковольтные ключевые схемы

Если требуется аналог с улучшенными параметрами (например, меньшим RDS(on)), можно рассмотреть IXFH40N50P (40 А, 0.15 Ом) или IXFH50N50P (50 А, 0.12 Ом).