IXYS IXFK21N100F

Описание и технические характеристики IXYS IXFK21N100F

IXYS IXFK21N100F – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1000 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии. Предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, DC-DC преобразователи и системы управления двигателями.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 21 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.45 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-264 (IXFK)
• Диод обратного восстановления: Встроенный быстрый диод
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Ключевые преимущества:

• Высокая надежность и долговечность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое время переключения
• Высокая устойчивость к динамическим нагрузкам

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXFK21N100 (аналог без суффикса "F")
• IXYS IXFH21N100 (в корпусе TO-247)
• Infineon IPW60R041C6 (аналог с близкими параметрами)
• STMicroelectronics STW21N100K5
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH21N100F

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXYS IXFK20N100 (20 А, 1000 В)
• IXYS IXFK25N100 (25 А, 1000 В)
• IXYS IXFK30N100 (30 А, 1000 В)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные системы питания

Если вам нужны более точные аналоги или дополнительные параметры, уточните условия применения.