IXYS IXFM50N20

Описание и технические характеристики IXYS IXFM50N20

IXFM50N20 – это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как импульсные источники питания, двигательные приводы, инверторы и другие силовые электронные системы.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 50 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 200 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.045 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Темп. перехода (макс.) | 150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги и замены:

1. IXYS IXFN50N20 (аналогичный MOSFET от IXYS, возможно, с небольшими отличиями в корпусе)
2. IRFP250N (International Rectifier, 200 В, 30 А, R_DS(on) = 0.075 Ом)
3. STP60NF20 (STMicroelectronics, 200 В, 60 А, R_DS(on) = 0.055 Ом)
4. FDP51N20 (Fairchild/ON Semi, 200 В, 51 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)
5. IRFB4110 (Infineon, 100 В, 72 А, но может использоваться в схемах с меньшим напряжением)

Рекомендации по замене:

• При выборе аналога важно учитывать V_DSS, I_D, R_DS(on) и корпус.
• IXFM50N20 имеет низкое R_DS(on), что делает его подходящим для высокоэффективных преобразователей.

Если вам нужен транзистор для работы с высокими токами и напряжениями до 200 В, IXFM50N20 – отличный выбор, а его аналоги могут быть использованы в зависимости от требований схемы.