IXYS IXFN100N50P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN100N50P

IXYS IXFN100N50P – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Имеет низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, моторных приводов и других силовых электронных устройств.

Основные характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): 500 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 100 А
• Импульсный ток стока (I_DM): 400 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.038 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт
• Корпус: TO-264 (аналог TO-247)
• Температура перехода (T_J): от -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые аналоги:

• IXYS (Littelfuse): IXFN100N50P3, IXFN100N50
• Аналоги других производителей:
  • Infineon: IPP100N04S4
  • STMicroelectronics: STW100N50
  • Vishay: IRFP450
  • Fairchild (ON Semiconductor): FCH100N50

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления энергией

Примечание: При замене на аналог необходимо учитывать параметры V_DS, I_D, R_DS(on) и тепловые характеристики.

Если нужна более детальная информация (графики, даташит), уточните!